Atomic Layer Deposited Ultra Thin HfO2 Interfacial Layer Grown on GaAs-based MIS Structure in 60-400 K Temperature Range


TÜRÜT A. , KARABULUT A., BIYIKLI N.

International Conference On Nanoscience and Nanotechnology For Next Generation-Nanong, Antalya, Türkiye, 29 Ekim 2015

  • Basıldığı Şehir: Antalya
  • Basıldığı Ülke: Türkiye