Some Electrical Characteristics Of GaAs–Based MIS Structures With Atomic Layer Deposited Thin HfO2 Interfacial Layer


TÜRÜT A. , KARABULUT A.

NANOSCIENCE&NANOTECHNOLOGY FOR NEXT GENERATION-NanoNG-2016, Antalya, Türkiye, 20 Ekim 2016, ss.83

  • Basıldığı Şehir: Antalya
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayısı: ss.83